注册| 登录

肖明

单位:光学与光学工程系

研究方向:半导体量子点器件的量子输运和量子计算研究

个人主页: http://ooe.ustc.edu.cn/hr6.html


个人简介

肖明,男,1977年9月出生于湖北。教授,博士生导师,2011年中科院百人计划入选者。多年来一直从事国际前瞻性的硅材料中的单电子自旋量子比特的研究,做出了若干有特色的创新性科研成果:在亚微米硅MOS器件中,首次观测到单电子自旋的塞曼分裂,并首次通过磁共振技术完成了对单个电子自旋的翻转与测量;经过长期攻关,发展出积累型硅器件中稳定可控的单电子量子点,首次测量出硅中单电子自旋的弛豫时间(T1),部分验证了硅中单电子自旋寿命长,从而有望实现长寿命的单电子自旋量子比特的优点;发展出一套超快、普适的单电子电荷量子比特的相干操控方法,实现单电荷量子比特的操控和两量子比特的受控非门。在Nature、Nature Communications、Physical Review Letters等学术期刊上发表论文30余篇,被SCI引用约400余次。主持基金委面上基金和参与科技部973和中科院先导项目B等国家重大研究计划。


学术经历:

1992/9~1996/7 华中理工大学少年班 本科

1996/9~1999/7 清华大学现代应用物理系 硕士

1999/9~2004/12 美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)物理与天文系 博士

2005/1~2010/12 美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)博士后

2011/1~至今 中国科学技术大学中科院量子信息重点实验室 教授


联系方式: 

电话:0551-63603677 

邮箱:maaxiao@ustc.edu.cn 


研究方向:

半导体量子点器件的量子输运和量子计算研究


主持研科项目:

1. 基于积累型砷化镓门型量子点的固态量子比特 11174267 基金委面上项目


近期代表性论文:

1. Hai-Ou Li, Gang Cao, Guo-Dong Yu, Ming Xiao, Guang-Can Guo, Hong-Wen Jiang, Guo-Ping Guo, Conditional Rotation of Two Strongly Coupled Semiconductor Charge Qubits, Nature Communications 6, 8681(2015).

2. Hai-Ou Li, Gang Cao, Ming Xiao, Jie You, Da Wei, Tao Tu , Guang-Can Guo,Hong-Wen Jiang, and Guo-Ping Guo,Fabrication and characterization of an undoped GaAs/AlGaAs quantum dot device,Journal of Applied Physics 116, 174504 (2014)

3. M. G. House, Ming Xiao, Guo-Ping Guo, Hai-Ou Li, Gang Cao, M. M. Rosenthal, Hong-Wen Jiang, Detection and Measurement of Spin-Dependent Dynamics in Random Telegraph Signals, Physical Review Letters 111,126803(2013). 

4. Gang Cao, Ming Xiao, Hai-Ou, Li, Cheng Zhou, Ru-Nan Shang, Tu Tao, Hong-Wen Jiang, Guo-Ping Guo, Back-action-driven electron spin excitation in a single quantum dot, New Journal of Physics 15, 023021 (2013).

5. Gang Cao, Hai-Ou Li, Tu Tao, Li Wang, Cheng Zhou, Ming Xiao, Guang-Can Guo, Hong-Wen Jiang, Guo-Ping Guo, Ultrafast universal quantum control of a quantum-dot charge qubit using Landau-Zener-Stuckelberg interference, Nature Communications, 4, 1401 (2013).

6. M Xiao, M G House, H W Jiang*, Measurement of the Spin Relaxation Time of Single Electrons in a Silicon Metal-Oxide-Semiconductor-Based Quantum Dot, PHYSICAL REVIEW LETTERS, 104, 096801(2010).

7. M Xiao, I Martin, E Yablonovitch, H W Jiang*, Electrical detection of the spin resonance of a single electron in a silicon field-effect transistor, Nature 430 435-439 (2004).

收藏 评论:0
没有ID?去注册 忘记密码? 已有账号,马上登陆

添加表情